[REPORT] 세계가 멀티레벨셀 개발에 박차
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작성일 23-01-22 03:22
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세계가 멀티레벨셀 개발에 박차
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세계가 멀티레벨셀 개발에 박차
설명
다. 실제로 삼성전자는 SLC를 중심으로 회로선폭을 줄여 두배씩 집적도를 높여왔으나, 8Gb에서 16Gb 낸드플래시로 넘어가던 2005년에는 제품 형태를 기존 SLC에서 2비트 MLC로 전환해 집적도 향상을 실현한 바 있다아
하지만 최근들어서는 메모리 셀의 공간을 2분의 1, 3분의 1, 4분의 1 등으로 나누어 한 셀 당 저장용량을 2배·3배·4배 늘리는 기술에 관심이 모아지고 있다아
지금까지 반도체업계는 이 메모리 셀의 크기를 줄이는 방식으로 대용량화를 실현해 왔다.
세계 주요 반도체업체들이 현미경으로나 겨우 볼 수 있는 나노입자의 셀 공간을 넓게 쓰는 첨단기술 개발에 박차를 가하고 있다아
매년 미세 나노공정이 한 단계씩 줄어드는 것과 병행해 한 셀당 비트 수를 2배·3배·4배 늘리는 기술이 정착되면, 메모리 대용량화는 한층 가속화될 것이 분명하다. 멀티레벨셀(MLC)이라고 불리는 셀 세분화 기술은 transistor의 게이트를 다수의 전압 레벨로 change(변화)시켜 셀 하나에 다수의 비트를 저장하는 기술이다. 셀의 크기를 줄이는 방식은 2가지로 하나는 더 가는 미세가공기술을 적용하는 것(00나노 미세공정)과 셀 자체의 크기를 줄이는(0F스퀘어) 것이 그것이다. 따라서 MLC는 누가 먼저 양산을 스타트하느냐만큼이나 누가 더 안정적인 기술 및 공정을 확보하느냐가 중요하다.
3비트와 4비트 셀은 아직은 신뢰성이 상용화의 걸림돌이다. 심규호기자@전자신문, khsim@
삼성전자·하이닉스반도체·인텔·스팬션 등이 치열한 기술개발 경쟁을 벌이고 있다아 현재 개발되고 있는 최대 용량 실현기술인 4비트 MLC(한 셀을 4등분)는 theory(이론)적으로 같은 공정에서 4배 용량의 메모리를 실현할 수 있어, 미세공정화와 더불어 메모리용량 확대의 the gist 기술로 평가받고 있다아 현재는 개발 공정이 단순한 플래시메모리분야를 중심으로 현실화되고 있다아 아직까지는 플래시메모리분야에 머물고 있지만, 향후 차세대메모리 제품들에도 응용될 가능성이 있다아
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세계가 멀티레벨셀 개발에 박차
세계가 멀티레벨셀 개발에 박차
반도체에서 셀은 반도체로서의 기능을 하는 최소 저장공간의 단위를 말한다.
순서
전문가들은 40나노 이하부터는 공정을 더 미세화하기보다는 다비트셀이 효과적일 것으로 보고 있다아 2비트를 넘어 3비트·4비트를 한 개 셀에 저장하면 공정을 한 단계더 미세화하는 것에 비해, 원가부담을 줄이는 효과가 크다는 판단 때문일것이다 국내 주요 메모리업체가 내부적으로 검토하고 있는 자료(data)에 따르면 ×3·×4 셀 제품은 40나노 공정에서 내년부터 본격적으로 시장을 형성해, 30나노급이 주류를 이룰 2009년 이후에는 시장 저변이 한층 넓어질 것으로 예상된다. 이 메모리 셀이 모여 메모리코어(‘0’이나 ‘1’등의 정보를 저장하는 메모리 셀들이 모인 부분)를 형성한다. 4비트 MLC는 대용량화측면에서 매우 긍정적이지만, 전하 누출과 관련된 신뢰성, 프로그램(program]) 공간 부족, 내구성에서 싱글레벨 셀에 비해 성능이 떨어진다.
